超大型積體電路短通道P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體之電腦模擬

Abstract

在本論文中，我們將已有的次微米金氧半電晶體模擬器(SUMMOS)推廣至P-型逆離子佈 值金氧半場效電晶體的模擬，並且驗證我們的模擬是準確的。同時藉此模擬器之助以 研究P-型逆離子佈值電晶體縮小化後元件結構變化對衝穿效應的影響，以作為設計深 次微米的P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體的指南，並在製程技術能做到的範圍內， 設計出通道長度等於0.3μm時衝穿電壓大於15伏特的元件。 在第一章中，我們首先簡單地描述了P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體的構造，以及 我們用數值分析模擬器模擬電晶體工作的方法，並且說明為何在設計P-型逆離子佈值 金氧半電晶體時要針對衝穿效應去考慮。 在第二章中，我們先介紹各種元件參數的粹取，利用這些參數我們可以計算出元件在 各種偏壓狀態下的電流，然後將計算電流和測量電流做比較，以確定我們的計算及參 數的正確性，以這些參數所計算出的電流來和測量電流做比較，我們發現兩者非常地 吻合，這種現象可由各比較圖中看出。由此可證明我們的參數和計算是正確可信的。 在第三章中，我們利用此模擬器去模擬深次微米P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體， 並討論逆離子佈值接面深度(Yj)，源極及吸極接面深度(Rj)，和有效通道長度對衝穿 效應的影響以做為設計深次微米P-型逆離子佈值金氧半場效電晶體的指南。 在第四章中，我們做一個簡單的結論。