AlGaAs╱GaAs波導式電光調制製器之研製

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳文中	en_US
dc.contributor.author	CHEN,WEN-ZHONG	en_US
dc.contributor.author	潘犀靈	en_US
dc.contributor.author	張振雄	en_US
dc.contributor.author	PAN,XI-LING	en_US
dc.contributor.author	ZHANG,ZHEN-XIONG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:08:09Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:08:09Z	-
dc.date.issued	1990	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124008	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/55195	-
dc.description.abstract	本論文實驗所做的波導式調制器，是預備做為電光取樣系統中的一個元件，以GaAs材料製成的調制器用來當做電光取樣頭（E-O sa mpling head）, 結構是ridge 型突起 , 雙異質四層結構, 作用區的GaAs層未慘雜質的載子濃度約10 ╱cm , 見圖（1 與 2 ）。元件測試結果, 半波電壓約30伏特, 未鍍電極時的傳播損耗是3.7dB╱cm,見圖（23）, 元件長度是3.8mm,Break down Voltage約50伏特。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	波導式電光調制製	zh_TW
dc.subject	電光取樣系統	zh_TW
dc.subject	元件	zh_TW
dc.subject	電光取樣頭	zh_TW
dc.subject	雙異質四層結構	zh_TW
dc.subject	載子濃度	zh_TW
dc.subject	半波電壓	zh_TW
dc.subject	傳播損耗	zh_TW
dc.subject	（E-O SAMPLING HEAD）	en_US
dc.subject	RIDGE	en_US
dc.title	AlGaAs╱GaAs波導式電光調制製器之研製	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文