AlGaAs╱GaAs波導式電光調制製器之研製

Abstract

本論文實驗所做的波導式調制器，是預備做為電光取樣系統中的一個元件，以GaAs材 料製成的調制器用來當做電光取樣頭（E-O sa mpling head）, 結構是ridge 型突起 , 雙異質四層結構, 作用區的GaAs層未慘雜質的載子濃度約10 ╱cm , 見圖（1 與 2 ）。元件測試結果, 半波電壓約30伏特, 未鍍電極時的傳播損耗是3.7dB╱cm,見圖 （23）, 元件長度是3.8mm,Break down Voltage約50伏特。