标题: | 砷化镓上金/镍/锗与金/钴/锗欧姆接触之研究 |
作者: | 卢文达 LU,WEN-DA 郑晃忠 谢正雄 吴庆源 ZHENG,HUANG-ZHONG XIE,ZHENG-XIONG WU,QING-YUAN 光电工程学系 |
关键字: | 砷化镓;欧姆接触;X光绕射;扫描式电子显微镜;Ge掺质效应;Ga-As向外扩散效;Ge最大掺质浓度的;热应力效应;AU/NI/GE/GAAS;AU/CO/GE/GAAS |
公开日期: | 1990 |
摘要: | 本论文对N型砷化镓上镀上了各种组成的接触,经过不同的热处理,研究其欧姆接触 之特性。这些组成包含了以下的型式:Au/Ni/Ge/GaAs和Au/Co/Ge/GaAs。经过 两种不同的热处理, 分别是快速退火和在一般炉中退火。 X 光绕射是用来确定退火后所形成的反应物, 而扫描式电子显微镜是用来观察这些接 触系统退火前和退火后的表面型态。 电性方面的量测是采用Cox 和Strack所用的方法, 为了进一步了解各种欧姆接触的热 稳定性, 我们也做了长时间热处理测试。实验结果显示Au/Co/Ge结构经过500℃ 快 速退火120 秒后, 它的接触电阻系数大约是6.45×10 ohm-cm ,经过500 ℃炉温退火 3 分钟后, 大约是5.25×10 ohm-cm 。虽然Au/Ni/Ge比Au/Co/Ge有更低的接触 电阻, 但是它的表面结构及热稳定性都较差。经过450 ℃快速退火120 秒后, 接触电 阻系数大约是3.37×10 ohm-cm ,经过450 ℃炉温退火3 分钟后, 大约是3.05×10 ohm-cm。 在另一方面, 为了解释所有的电性特性, 我们提出欧姆接触的机构, 这个机构分为四 部份。分别是(a )Ge掺质效应、(b )Ga-As 向外扩散效应、(c )Ge最大掺质浓 度的溶解度、(d )热应力效应。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124024 http://hdl.handle.net/11536/55213 |
显示于类别: | Thesis |