标题: 砷化镓上金/镍/锗与金/钴/锗欧姆接触之研究
作者: 卢文达
LU,WEN-DA
郑晃忠
谢正雄
吴庆源
ZHENG,HUANG-ZHONG
XIE,ZHENG-XIONG
WU,QING-YUAN
光电工程学系
关键字: 砷化镓;欧姆接触;X光绕射;扫描式电子显微镜;Ge掺质效应;Ga-As向外扩散效;Ge最大掺质浓度的;热应力效应;AU/NI/GE/GAAS;AU/CO/GE/GAAS
公开日期: 1990
摘要: 本论文对N型砷化镓上镀上了各种组成的接触,经过不同的热处理,研究其欧姆接触
之特性。这些组成包含了以下的型式:Au/Ni/Ge/GaAs和Au/Co/Ge/GaAs。经过
两种不同的热处理, 分别是快速退火和在一般炉中退火。
X 光绕射是用来确定退火后所形成的反应物, 而扫描式电子显微镜是用来观察这些接
触系统退火前和退火后的表面型态。
电性方面的量测是采用Cox 和Strack所用的方法, 为了进一步了解各种欧姆接触的热
稳定性, 我们也做了长时间热处理测试。实验结果显示Au/Co/Ge结构经过500℃ 快
速退火120 秒后, 它的接触电阻系数大约是6.45×10 ohm-cm ,经过500 ℃炉温退火
3 分钟后, 大约是5.25×10 ohm-cm 。虽然Au/Ni/Ge比Au/Co/Ge有更低的接触
电阻, 但是它的表面结构及热稳定性都较差。经过450 ℃快速退火120 秒后, 接触电
阻系数大约是3.37×10 ohm-cm ,经过450 ℃炉温退火3 分钟后, 大约是3.05×10
ohm-cm。
在另一方面, 为了解释所有的电性特性, 我们提出欧姆接触的机构, 这个机构分为四
部份。分别是(a )Ge掺质效应、(b )Ga-As 向外扩散效应、(c )Ge最大掺质浓
度的溶解度、(d )热应力效应。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124024
http://hdl.handle.net/11536/55213
显示于类别:Thesis