延伸閘電極型金氧半場效電晶體陣列輿一種新型的二氧化碳感測器的研製

Abstract

本論文分成兩部份。在第一部份里，我們利用了部份氧化技術(LOCOS) 置作了一個由 五個延伸白金閘電極型金氧半場效電晶體(MOSFET)組成的陣列。在第二部份里，我們 裝置作了一種新型的二氧化碳感測器。 在第一部份里，我們在3.5×3.25mm2的單一晶片上製作了五個延伸白金閘電極型金氧 半場效電晶體。實驗結果顯示這五個金氧半場效電晶體都能同時工作。白金閘電極延 伸至元件工作區外可避免元件工作區受到感測物質的污染或者侵蝕，延長了元件的耐 久性。而白金閘電極的線型排列方式可提供感測實驗時的空間解析度。 在第二部份里，我們利用在平面的酸澗電極上(pHelectrode) 覆一層KHCO /PVA (pol yvinylalcohol)固態電解質(20mMKHCO3+0.06mMPVA) 製作了一種新型的二氧化碳感測 器。這種二氧化碳感測器與別的pCO 電極不同的地方是省去了一層可穿透性薄膜；與 別的固態電解質二氧化碳感測器不同的地方是降低了操作溫度。實驗結果顯示此種感 測器的電極電位與二氧化碳濃度的常用對數尺度成線性關係。