標題: 金氧半元件在交流脈波工作下之熱載子效應
作者: 吳英哲
WU,YING-ZHE
吳重兩
謝太炯
WU,CHONG-LIANG
XIE,TAI-JIONG
電子物理系所
關鍵字: 金氧半元件;交流脈波;熱載子效應;閘極;熱電洞注入量;高頻;頻率50MHz以上;TURN-OFF;STRESS;ANTI-INVERTER-LIKE-STRESS
公開日期: 1990
摘要: 摘要 本論文內,交流脈波工作下之熱載子效應,我們提出一定性模式來解釋,對於製法不 同的氧化層 (乾氧和濕氧) ,我們發現熱載子,扮演著不同的角色,當汲極是高電壓 時, 閘極turn off,引導熱電洞注入SiO2,打斷Si-Si 或Si-H,產生帶‘正’電荷 和施態介面,這些‘正’電荷或施態介面,更易捕捉電子來中和本身的電性,從而釋 放出能量,這些釋出能量造成更多受態的介面,導至元件特性的加速退化。因此熱電 洞的注入量,是元件退化的指標。 對濕氧製成的元件而言,和水氣相關之O-H 鍵,也是一重要因子,Si-O-H,本身是一 電子陷阱,在閘極和汲極是高電壓時,注入電子也引發元件特性退化。因此,電子在 交流脈波工作下之劣作機構亦扮演一重要角色。 此模式由交流脈波stress,部分獲得證實,從實驗結果可知高頻之anti-inverter-li ke stress 比dc stress 要嚴重,而且從電路操作波形的了解,我們知道,發生嚴重 Hot carrier effect的電路,以SRAM最嚴重,如何在製程上改良,以及如何增加元件 的lifetime,將是一重要課題。 未來,依據真實電路之操作波形,結合不同ac和dc stress 型式,將,將此單一的型 式stress要嚴重,而當頻率高達50MHz 以上時,元件的Hot carrier effect如何?此 將是未來研究之主題。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792429011
http://hdl.handle.net/11536/55329
顯示於類別:畢業論文