殘餘蝕刻技術之元件應用

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳俊結	en_US
dc.contributor.author	CHEN,JUN-JIE	en_US
dc.contributor.author	謝正雄	en_US
dc.contributor.author	XIE,ZHENG-XIONG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:08:30Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:08:30Z	-
dc.date.issued	1990	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792429020	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/55340	-
dc.description.abstract	藉由殘餘蝕刻技術，可在矽晶片的V 槽形成次微米細線或細點。此技術是將複晶矽沉積在V 槽上，再利用乾法或濕法蝕刻，讓V 槽尖端留下殘餘之複晶矽。本文中探討此蝕刻時間之效應。利用殘餘蝕刻技術可做出短通道元件及微米級的點二極體。點二極的PN介面面積可小到1×2μm ，適於高頻操作。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	殘餘蝕刻	zh_TW
dc.subject	元件應用	zh_TW
dc.subject	V 槽形成次微米細	zh_TW
dc.subject	短通道元件	zh_TW
dc.subject	微米級	zh_TW
dc.subject	點二極體	zh_TW
dc.subject	高頻操作	zh_TW
dc.subject	1×2μm	zh_TW
dc.title	殘餘蝕刻技術之元件應用	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子物理系所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文