超晶格中激子的束縛能-最小漲落方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	許世穎	en_US
dc.contributor.author	Xu, Shi-Ying	en_US
dc.contributor.author	楊宗哲	en_US
dc.contributor.author	Yang, Zong-Zhe	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:08:49Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:08:49Z	-
dc.date.issued	1990	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT794429001	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/55597	-
dc.description.abstract	本論文將介紹各向異性的有效介質方法，用來計算激子在GaAs-Ga Al As 超晶格中的束縛能。我們並且提出一新的近似方法－勢位的最小漲落法，用來解各向異性的有效介質方法中所導引出的哈米爾頓。我們發現此一新的方法與變分法可以獲得同樣的封閉形式的解。我們并將此結果與其他一些近似方法所獲得的結果做比較。本論文的第二部分，我們將探討映像勢位對GaAs-Ga Al As 量子井的雜質基態的影響。並且提出一個新的結構Metal-GaAs-Ga Al As。由這個結構所引出的映像勢位能量修正，我們可以提供一個實驗的建議，用來量測GaAs-Ga Al As 量子井雜質基態束縛能中，映像勢位能量部分的數值。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	超晶格中激子束縛	zh_TW
dc.subject	勢位最小漲落法	zh_TW
dc.subject	哈米爾頓	zh_TW
dc.subject	映像勢位	zh_TW
dc.subject	量子井雜質基態	zh_TW
dc.subject	能量部分	zh_TW
dc.subject	電子物理	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	GaAs-Ga-xAlxAs超	en_US
dc.subject	ELECTROPHYSICS	en_US
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	超晶格中激子的束縛能-最小漲落方法	zh_TW
dc.title	Exciton binding energies in semiconductor superlattices	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子物理系所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文