完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 黃裕文 | en_US |
dc.contributor.author | HUANG, YU-WEN | en_US |
dc.contributor.author | 潘犀靈 | en_US |
dc.contributor.author | PAN, XI-LING | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:09:02Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:09:02Z | - |
dc.date.issued | 1991 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802124004 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/55739 | - |
dc.description.abstract | 我們在半絕緣砷化鎵上,使用低溫分子束磊晶法成長砷化鋁與低溫砷化鎵薄,再用稀 釋的氫氟酸作選擇性蝕刻吃掉砷化鋁,藉以獲得低溫砷化鎵薄膜。在所獲得的薄膜中 ,最大面積為5mm×5mm,其厚度約1um 。 我們利用激勵╱探測法來研究低溫砷化鎵薄膜中自由載子的運動機制,所使用的光源 為同步起能鎖模染料雷射,其光脈衝的半高寬為0.4-0.5ps ,波長範圍在790nm-880 nm。激勵光功率是6mW ,而探測光功率是0.6mW ,由實驗數據配合理論數值分析後, 所得到的自由載子衰減常數為1.5-2.0ps。 在光導開關的非線性效應方面,我們同時用近紅外光與綠光當光源,量測元作結構是 Auston Switch (材料:低溫砷化鎵)和共平面波導(材料:半絕緣砷化鎵)。實驗 中所獲得低溫砷化鎵載子衰減常數為5.0ps ;半絕緣砷化鎵載子衰減常數為600ps 。 將此數據代入載子速率方程式,便可知光導開關對單一光脈衝的響應。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 探法研究 | zh_TW |
dc.subject | 束磊晶砷化鎵薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 載子動力學 | zh_TW |
dc.title | 以泵-探法研究低溫分子束磊晶砷化鎵薄膜之載子動力學 | zh_TW |
dc.title | Pump-probe studies of the carrier dynamic in LT-GaAs | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |