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dc.contributor.author吳永順en_US
dc.contributor.authorWU, YONG-SHUNen_US
dc.contributor.author張振雄en_US
dc.contributor.authorZHANG, ZHEN-XIONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:03Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:03Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802124013en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/55749-
dc.description.abstract光導開關具有結構簡單,易於積體化,而且在低偏壓下擁有高速時域響應等優點,所 以近年來引起廣泛的注意。 在本論文我們研製出具有快速響應時間和高感光度的銦砷化錠異質接面結構的光導開 關。使用電光取樣系統測得響應速度約為50ps,用非線性交相關法也得到相近的結果 。另在使用一般的小功率半導體雷射(0.8 mW)在5V的偏壓下可以產生45mV的峰值電壓 。 我們利用兩個半導體雷射,產生不同重複頻率的光脈衝,結合了混頻的方法來測量光 導開關,這種方法使得我們能利用低頻及慢速電子儀器來觀測光導開關所產生的高頻 及快速的信號。這種方法也被用來測試高速元件的特性,所得到的脈衝寬度和高頻儀 器所量測到的結果非常接近。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject銦砷化鎵zh_TW
dc.subject光導開關製作應用zh_TW
dc.title銦砷化鎵光導開關的製作與應用zh_TW
dc.titleThe fabiocatopm and application of InGaAs photoconductive switchesen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文