以低溫分子束磊晶砷化鎵為材料之高速光電脈衝產生及取樣系統

Abstract

在本實驗中，我們以低溫分子束磊晶砷化錠作為光導開關活化層的材料。低溫分子束 磊晶砷化錠具有高的暗電阻，高的崩潰電場，次微微秒級的載子生命期以及高的載子 移動率，所以非常適用於高速光電子學的應用。在我們的系統中，我們利用上述的光 導開關形成高速光脈衝產生與取樣系統並可用來做速元件散射參數之量測。我們把所 測得之時域響應經過快速傅立葉轉換可得到頻域上之響應，而所得之結果與利用傳統 網路分析儀所測得之結果相比較顯示出兩者相當吻合。