硫化鎘薄膜的量子侷限效應的研究

标题:	硫化镉薄膜的量子局限效应的研究 The studies of quantum size effects in CdS thin films
作者:	谢正英 XIE, ZHENG-YING 褚德三 CHU, DE-SAN 电子物理系所
关键字:	硫化镉;薄膜;量子局限效应
公开日期:	1991
摘要:	以雷射蒸镀的方法在室温中，蒸镀不同厚度(500A至3500A) 的硫化镉薄膜。我们利用Nd:YAG雷射做为蒸镀光源、P-型矽晶片为基板、纯度99.999％的硫化镉粉末为靶，来制做高方向性且不同厚度的硫化镉薄膜。利用这些薄膜藉由拉曼光谱，我们可以研究纵向光支声子(LO)频率、冷激光尖峰值等和厚度的关系。由实验的结果，我们观察到当薄膜厚度减小时，纵向光支声子频率有红移现象、冷激光尖峰值有蓝移现象，这些现象可能是由于颗粒小、维度小或薄膜与基板间的应力等所引起。我们也发现当薄膜厚度减小时，谱线宽度随之增加，我们的结果和理论的预测相符。另外，1LO/2LO 的比率随着硫化镉的薄膜厚度减小而增加，这结果可以解释为在较薄的薄膜中束缚激子较少的原故。Ｓｉ－Ｏｒ峰值的向上移现象，可能是由于矽和硫化镉界面间的压缩应力造成。
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802429006 http://hdl.handle.net/11536/56005
显示于类别：	Thesis

APA	谢., XIE, Z., 褚., & CHU, D. (1991). 硫化镉薄膜的量子局限效应的研究. http://hdl.handle.net/11536/56005.
Bibtex	@article{谢正英 and XIE1991, title={硫化镉薄膜的量子局限效应的研究}, author={谢正英 and XIE, ZHENG-YING and 褚德三 and CHU, DE-SAN}, journal={http://hdl.handle.net/11536/56005}, year={1991}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/56005?locale=zh_CN}, }