拋物線型半導體異質結構的真實解

Abstract

本論文在討論拋物線型半導體異質結構 GaAs/Al□Ga□-□As 的能量形式。我們將 討論三種形式的拋物線型位能阱的解：1.邊界未供給矽，2.邊界供給矽且位能阱為 無限深的情況，3.邊界供給離子且為有限深的位能阱。我們並將計算結果與實驗值 相比較。 在第一部分，其解為韋伯方程式，經由數值計算後，發覺其解在低能階時可完全用 厄密方程式代替。在第２及第３部分，採用M. Sundaram 等的能帶模型計算後，發 覺其能階將會從簡諧振子等能階的形態轉變成方形位能阱的能量形式。