TEGa, TBAs氣相成長GaAs薄膜反應機制之研究

Abstract

本文主要探討以 TEGa 和 TBAs 等新型前導物成長砷化鎵薄膜的反應動力學。在溫 度 450℃至 500℃附近最大磊晶效率遠低於質傳速率的限制。然而，2000 至 7000 micron/mole 的成長效率已屬合理，與TMGa 和Arsine 的成長效率相近。我們也詳 細探討在氣相中可能形成加合物和後續的寄生反應。而低溫特性所呈現35.6 Kacl/ mole之表面反應活化能和DEGa在砷化鎵表面釋出乙烯的脫附活化能相當，這顯示低 溫磊晶受制於三乙鎵在表面的不完全分解。另外，我們採用Hall量測和冷激光量測 來分析薄膜品質，試片的電子遷移率最高可達6859 cm□/Vsec。顯然，TEGa和TBAs 這一組新型前導物非常適合砷化鎵單晶薄膜之磊晶應用。