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dc.contributor.author闕河立en_US
dc.contributor.authorQUE, HE-LIen_US
dc.contributor.author褚德三en_US
dc.contributor.authorCHU, DE-SANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:25Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:25Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802429027en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56028-
dc.description.abstract最近幾年一些欠維系統如量子阱,量子線,量子點等的量子尺寸效應已引起廣泛的興 趣。在量子阱中激子隨著阱寬的變,慢慢由二維的激子轉變成三維激子。在這轉變中 很多量子阱的性質如激子束縛能,激子衰變率和振動強度等也會隨著改變。最近半導 體簿膜中激子的頻率遷移已被算出且和衰變率一樣有反比於kd的平方的關係,其中k 是輻射光的波數,它正比於激子的能量,而d 是晶格常數,這項因子大大的增加了輻 射率和頻率遷移,這正是所謂的超輻射現象。在本論文中,我們延續上項結果,研究 了半導體薄膜中高密度激子的衰變率和頻率遷移。當激子密度很大時,激子的非玻色 子效應會變的很重要。我們得到了此特性對高密度激子的影響:當激子密度很大時, 激子的能量會稍微變小,而它與光子的作用強度會稍微變大。另外,我們得到了激子 衰變率隨著薄膜厚度改變的關係:當膜厚小於二個激子的玻爾半徑時,膜愈厚衰變速 度愈慢,這結果與實驗相當吻合。但當膜厚大於此限時,我們預測衰變率與膜厚有正 比的關係。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject頻率遷移zh_TW
dc.subject衰變率zh_TW
dc.subject薄膜zh_TW
dc.subject激子zh_TW
dc.title半導體薄膜中高密度激子的衰變率及頻率遷移zh_TW
dc.titleDecay rate and frequency shift of the high density excitons in a semiconductor filmen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別:畢業論文