完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 徐世昌 | en_US |
dc.contributor.author | XU, SHI-CHANG | en_US |
dc.contributor.author | 張俊彥 | en_US |
dc.contributor.author | ZHANG, JUN-YAN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:09:25Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:09:25Z | - |
dc.date.issued | 1991 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430006 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/56036 | - |
dc.description.abstract | 由本研究群自行設計的電漿輔助化學氣相沈積系統,在攝氏溫度250∼350℃間,藉 由高流量的氦氣來稀釋矽甲烷和氧化氮的混合氣體,已成功地沈積出材質甚佳的電 漿二氧化矽薄膜,並且在材料和電氣特性的分析下,尋找出最佳的沈積條件。吾人 利用金氧半電容器的結構,來量測其〝電流-電壓〞以及〝電容-電壓〞特性,諸 如崩潰電場強度,崩潰電荷密度等,並求出電漿二氧化矽和單晶矽之間的〝介面捕 捉陷阱密度〞。我們發現由攝氏溫度250℃所成長的電漿二氧化矽,在經〝溫度400 ℃氮氣退火處理〞後,具有較低的介面捕捉陷阱密度,僅約 4×1010 cm-2 eV-1左右,然而溫度 350℃所成長的電漿二氧化矽,在加電壓和加熱的測試中具 有較佳的穩定性。吾人發覺〝氮氣退火處理〞可以很明顯地降低電漿二氧化矽和單 晶矽之間的介面捕捉陷阱密度。最後,我們利用這些電漿二氧化矽,來作為非晶矽 薄膜電晶體的閘極介電絕緣膜。發現使用材質好的非晶矽薄膜,在低溫退火後,可 得到〝開╱關電流比〞將近106 ,而〝場效載子移動率〞可達0.59 cm□/V-sec 左右,是非常不錯的非晶矽薄膜電晶體特性。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 電漿輔助化學氣 | zh_TW |
dc.subject | 相沈積法成長 | zh_TW |
dc.subject | 二氧化矽 | zh_TW |
dc.subject | 非晶矽薄膜電晶體 | zh_TW |
dc.title | 電漿輔助化學氣相沈積法成長的二氧化矽及非晶矽薄膜電晶體 | zh_TW |
dc.title | PECVD silicon dioxide and hydrogenated amorphous thin film transistor | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |