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dc.contributor.author徐世昌en_US
dc.contributor.authorXU, SHI-CHANGen_US
dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.authorZHANG, JUN-YANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:25Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:25Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430006en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56036-
dc.description.abstract由本研究群自行設計的電漿輔助化學氣相沈積系統,在攝氏溫度250∼350℃間,藉
由高流量的氦氣來稀釋矽甲烷和氧化氮的混合氣體,已成功地沈積出材質甚佳的電
漿二氧化矽薄膜,並且在材料和電氣特性的分析下,尋找出最佳的沈積條件。吾人
利用金氧半電容器的結構,來量測其〝電流-電壓〞以及〝電容-電壓〞特性,諸
如崩潰電場強度,崩潰電荷密度等,並求出電漿二氧化矽和單晶矽之間的〝介面捕
捉陷阱密度〞。我們發現由攝氏溫度250℃所成長的電漿二氧化矽,在經〝溫度400
℃氮氣退火處理〞後,具有較低的介面捕捉陷阱密度,僅約 4×1010 cm-2
eV-1左右,然而溫度 350℃所成長的電漿二氧化矽,在加電壓和加熱的測試中具
有較佳的穩定性。吾人發覺〝氮氣退火處理〞可以很明顯地降低電漿二氧化矽和單
晶矽之間的介面捕捉陷阱密度。最後,我們利用這些電漿二氧化矽,來作為非晶矽
薄膜電晶體的閘極介電絕緣膜。發現使用材質好的非晶矽薄膜,在低溫退火後,可
得到〝開╱關電流比〞將近106 ,而〝場效載子移動率〞可達0.59 cm□/V-sec
左右,是非常不錯的非晶矽薄膜電晶體特性。
zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電漿輔助化學氣zh_TW
dc.subject相沈積法成長zh_TW
dc.subject二氧化矽zh_TW
dc.subject非晶矽薄膜電晶體zh_TW
dc.title電漿輔助化學氣相沈積法成長的二氧化矽及非晶矽薄膜電晶體zh_TW
dc.titlePECVD silicon dioxide and hydrogenated amorphous thin film transistoren_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文