III-V異質接面元件電容電壓剖面模擬與分析

Abstract

傳統上，電壓電容剖面(C-V profiling) 技術大多用來測量半導體之摻雜濃度 ( doping density) 。但亦可用於量測異質接面之能帶不連續(band discontinuity) 。本論文成功地發展出適用於ｎ型相同態(isotype) 異質接面的改良電容電壓剖面 公式並用來獲得能帶不連續量。 在另一方面，由於不同材料間的不相似，造成了介面陷阱(interface traps) 的存 在。介面陷阱將會影響元件的特性。而電容電壓法正可以用來探索介面陷阱在不同 狀態下的性質。