以低壓有機金屬化學氣相沈積法成長之磷化鎵錮蕭特基接觸之研究

Abstract

本論文係首次對單一成分金屬、金屬矽化物及金屬氮化物在磷化鎵銦半導體上的電 性與熱穩定性作廣泛而深入的研究。 在單一成分金屬中，鉑的熱穩定性最好，經由攝氏500 度，30分鐘的爐管退火，鉑 在磷化鎵銦上的能障高度仍能保持在1.09電子伏特。鎢矽化物及鉑矽化物經由750 度，10秒的快速熱退火，呈現良好的蕭特基接觸特性，但經過850 度的快速熱退火 後，則特性變差。 本論文發現鈦鎢氮化物在磷化鎵銦半導體上可形成熱穩定性極佳的蕭特基接觸。由 二次離子質量能譜及歐傑電子能譜分析顯示經由850 度，10秒的快速熱退火，鈦鎢 氮化物與磷化鎵銦之界面仍很穩定。鈦鎢氮化物中的氮成分對磷化鎵銦蕭特基接觸 的電性與熱穩定性有重要影響。氮原子加入鈦鎢金屬中有熱穩定膜的作用，可抵抗 磷化鎵銦在高溫下向外擴散。