N+複晶矽閘極MDS電容經輻射後的研究

Abstract

MOS 電容經輻射後，它的C-V 曲線有很明顯的變化，包括平帶電壓位移，遲滯曲線 的產生並且介面陷阱增加。對磷離子高溫擴散Ｎ﹢複晶矽閘極MOS 電容，擴散高溫 對氧化層的影響是因著溫度的增加，電洞缺陷就越多。因此溫度1000℃CMOS電容經 輻射後，有較多的電洞陷阱。另一方面，對磷離子佈植複晶矽閘極MOS 電容，退火 溫度對氧化層的影響類似磷離子高溫擴散Ｎ﹢複晶矽閘極MOS 電容。MOS 電容被固 定電流受壓後，發現氧化層是電子捕捉，MOS 電容經輻射後，氧化層卻是電洞捕捉 。藉輻射及固定電流受壓，我們可以發現，退火溫度對氧化層的影響是有較多的電 子陷阱和電洞缺陷和電子缺陷。離子佈植能量對氧化層的影響是有較多的電洞陷阱 和電子缺陷。