鉑-磷化銦系統蕭特基接觸特性之研究

Abstract

本文對鉑及矽化鉑與Ｎ型磷化銦間夾一薄氧化層之蕭特基接觸的特性加以研究探討 ，上述之薄氧化層是利用熱硝酸當作氧化劑在強光照射下所成長，而該薄氧化層的 化學組成非常接近InPO□。我們測量其電流－電壓，電容－電壓和電流－溫度特性 ，結果顯示有氧化層的元件特性遠比無氧化層的元件特性優異，其接觸能障可增加 0.20－0.25電子伏特，且理想係數可保持在1.1－1.2之間。 本文也同時探討熱穩定方面的問題。有氧化層的元件通常無法承受超過 250℃的退 火溫度；而無氧化層的元件當中，以PtSi當作接觸金屬，可耐溫遠 500℃而電特性 不劣化。依據實驗所得結果，400℃ 的退火溫度對所有無氧化層的元件而言，其接 觸能障可從0.53電子伏特增至0.60電子伏特，而理想係數可從1.07降至1.02。