標題: 鉑-磷化銦系統蕭特基接觸特性之研究
Schottky contactstudy on pt-inp system
作者: 李坤成
LI, KUN-CHENG
陳茂傑
雷添福
CHEN, MAO-JIE
LEI, TIAN-FU
電子研究所
關鍵字: 鉑-磷化銦系統;蕭特基接;接觸特性研究
公開日期: 1991
摘要: 本文對鉑及矽化鉑與N型磷化銦間夾一薄氧化層之蕭特基接觸的特性加以研究探討 ,上述之薄氧化層是利用熱硝酸當作氧化劑在強光照射下所成長,而該薄氧化層的 化學組成非常接近InPO□。我們測量其電流-電壓,電容-電壓和電流-溫度特性 ,結果顯示有氧化層的元件特性遠比無氧化層的元件特性優異,其接觸能障可增加 0.20-0.25電子伏特,且理想係數可保持在1.1-1.2之間。 本文也同時探討熱穩定方面的問題。有氧化層的元件通常無法承受超過 250℃的退 火溫度;而無氧化層的元件當中,以PtSi當作接觸金屬,可耐溫遠 500℃而電特性 不劣化。依據實驗所得結果,400℃ 的退火溫度對所有無氧化層的元件而言,其接 觸能障可從0.53電子伏特增至0.60電子伏特,而理想係數可從1.07降至1.02。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430060
http://hdl.handle.net/11536/56095
Appears in Collections:Thesis