薄氧化層之退火處理

Abstract

MOS 元件需要高品質的超薄氧化層，此處我們利用氧化後退火處理方法可得到高品 質的薄氧化層，氧化後退火處理不僅可使氧化矽與矽基板表面平滑，並且可去除靠 近氧化矽與矽基板介面附近的缺陷，當氧化層成長溫度越低，氧化層內部的缺陷越 多，穿透電荷崩潰量與氧化層內部的缺陷多寡有很大關聯，相對應與氧化層成長溫 度與氧化後退火處理溫度有很大關聯，這裡發現氧化層經過 950℃氧化後退火處理 ，可得到高品質的薄氧化層。 另外我們也研究當氧化層成長於經過BF□﹢離子佈植的矽基板，對薄氧化層的特性 之影響，氧化層成長於經過BF□﹢離子佈植的矽基板比成長於未經過BF□﹢離子佈 植的矽基板，造成較低的氧化層崩潰電場，較高的介面狀態密度，當氧化層成長於 BF□﹢離子佈植量小於10□cm﹣□的矽基板上比成長於未經過BF□﹢離子佈植的矽 基板可得到較高的穿透電荷崩潰量。