標題: 薄氧化層之退火處理
Post oxidation annealing on thin oxide film
作者: 李建興
LI, JIAN-XIN
李崇仁
雷添福
LI, CHONG-REN
LEI, TIAN,FU
電子研究所
關鍵字: 薄氧化層;退火處理
公開日期: 1991
摘要: MOS 元件需要高品質的超薄氧化層,此處我們利用氧化後退火處理方法可得到高品 質的薄氧化層,氧化後退火處理不僅可使氧化矽與矽基板表面平滑,並且可去除靠 近氧化矽與矽基板介面附近的缺陷,當氧化層成長溫度越低,氧化層內部的缺陷越 多,穿透電荷崩潰量與氧化層內部的缺陷多寡有很大關聯,相對應與氧化層成長溫 度與氧化後退火處理溫度有很大關聯,這裡發現氧化層經過 950℃氧化後退火處理 ,可得到高品質的薄氧化層。 另外我們也研究當氧化層成長於經過BF□﹢離子佈植的矽基板,對薄氧化層的特性 之影響,氧化層成長於經過BF□﹢離子佈植的矽基板比成長於未經過BF□﹢離子佈 植的矽基板,造成較低的氧化層崩潰電場,較高的介面狀態密度,當氧化層成長於 BF□﹢離子佈植量小於10□cm﹣□的矽基板上比成長於未經過BF□﹢離子佈植的矽 基板可得到較高的穿透電荷崩潰量。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430063
http://hdl.handle.net/11536/56098
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