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dc.contributor.author簡昭欣en_US
dc.contributor.authorJIAN, ZHAO-XINen_US
dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.contributor.authorZHANG, JUN-YANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:31Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:31Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430078en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56116-
dc.description.abstract我們成功地使用低壓有機金屬沈積法長出晶格完全與砷化鎵晶體匹配的磷化鋁鎵銦 。實驗中可感知鋁的化學活性相當激烈,它的化合效率大約為鎵的二到三倍。因此 ,在估算汽相莫耳分率時,鋁的活性效應必須考慮。晶品的良劣經雙晶X-射線,光 學顯微鏡,PL光譜及Hall量測來判斷。當成長溫度高於 700℃, V/III 值較小時, 晶片表面像鏡面一樣光滑。在500 倍顯微鏡下,表面缺陷的密度會因鋁含量增加和 鋅雜質的摻與而顯著增加,但硒摻雜卻戲劇化地降低了缺陷的密度。電子和電洞濃 度分別可達到2×1018與1×1018。所構置出來的發光二極體波長為橙色光。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject有機金屬化學氣zh_TW
dc.subject相沈積法zh_TW
dc.subject成長磷化鋁鎵銦zh_TW
dc.subject材料應用zh_TW
dc.title以有機金屬化學氣相沈積法成長磷化鋁鎵銦及材料應用zh_TW
dc.titleAlGaInP growth by MOCVD and its applicationsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文