次微米單用矽晶片直接黏合技術來製作SDI基片

Abstract

在本文中，我們詳盡地探討了次微米單、雙金屬層ＬＤＤ構造Ｎ通道金氧半電晶體 的熱子效應所導致的元件特性衰退。為了研究熱電子效應與元件小型化之間的關係 ，我們改變的元件參數主要是通道長度(0.6-1.5um) 。我們採用不同的直流應力條 件來作實驗。在直流應力之後，我們不僅做順向測量也做反向測量，用來探討汲極 端不均一的熱電子注入效果。汲極電流的衰減，-△ＩD╱ＩDO，作為熱電子效應所 導致的元件特性退化的參考。 我們探討汲極電流的衰減，-△ＩD╱ＩDO，與汲極電壓、閘極電壓、及通道長度等 的關係。我們發現對不同通道長度，汲極電流衰減與所加直流應力的時間之間有一 power law 的關係存在，-△ＩD╱ＩDO＝Ａｔ□。並利用一經驗式說明元件之活期 與基板電流、汲極電流之間的關係，τ=kIsub﹣□或τＩD＝k（Isub/ＩD）﹣□。 在所有實驗中單金屬層元件比雙金屬層元件更能耐熱載子效應。單金屬層元件有比 較低的衰減速率和比較高的活期。在這份研究中發現spacer induced device deg- radation是兩種元件主要衰減機構。