TEGa, TBAs氣相成長GaAs薄膜反應機制之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張峻榮	en_US
dc.contributor.author	Zhang, Jun-Rong	en_US
dc.contributor.author	陳衛國	en_US
dc.contributor.author	Chen, Wei-Guo	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:10:01Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:10:01Z	-
dc.date.issued	1991	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804429004	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/56448	-
dc.description.abstract	本文主要探討以 TEGa 和 TBAs 等新型前導物成長砷化鎵薄膜的反應動力學。在溫度 450℃至 500℃附近最大磊晶效率遠低於質傳速率的限制。然而，2000 至 7000 micron/mole 的成長效率已屬合理，與TMGa 和Arsine 的成長效率相近。我們也詳細探討在氣相中可能形成加合物和後續的寄生反應。而低溫特性所呈現35.6 Kacl/ mole之表面反應活化能和DEGa在砷化鎵表面釋出乙烯的脫附活化能相當，這顯示低溫磊晶受制於三乙鎵在表面的不完全分解。另外，我們採用Hall量測和冷激光量測來分析薄膜品質，試片的電子遷移率最高可達6859 cm□/Vsec。顯然，TEGa和TBAs 這一組新型前導物非常適合砷化鎵單晶薄膜之磊晶應用。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	反應機制	zh_TW
dc.subject	成長效率	zh_TW
dc.subject	薄膜	zh_TW
dc.subject	電子物理	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTROPHYSICS	en_US
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	TEGa, TBAs氣相成長GaAs薄膜反應機制之研究	zh_TW
dc.title	Kinetic study of epitaxial growth of GaAs using TEGa and TBAs	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子物理系所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文