Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 張峻榮 | en_US |
dc.contributor.author | Zhang, Jun-Rong | en_US |
dc.contributor.author | 陳衛國 | en_US |
dc.contributor.author | Chen, Wei-Guo | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:10:01Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:10:01Z | - |
dc.date.issued | 1991 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804429004 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/56448 | - |
dc.description.abstract | 本文主要探討以 TEGa 和 TBAs 等新型前導物成長砷化鎵薄膜的反應動力學。在溫 度 450℃至 500℃附近最大磊晶效率遠低於質傳速率的限制。然而,2000 至 7000 micron/mole 的成長效率已屬合理,與TMGa 和Arsine 的成長效率相近。我們也詳 細探討在氣相中可能形成加合物和後續的寄生反應。而低溫特性所呈現35.6 Kacl/ mole之表面反應活化能和DEGa在砷化鎵表面釋出乙烯的脫附活化能相當,這顯示低 溫磊晶受制於三乙鎵在表面的不完全分解。另外,我們採用Hall量測和冷激光量測 來分析薄膜品質,試片的電子遷移率最高可達6859 cm□/Vsec。顯然,TEGa和TBAs 這一組新型前導物非常適合砷化鎵單晶薄膜之磊晶應用。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 反應機制 | zh_TW |
dc.subject | 成長效率 | zh_TW |
dc.subject | 薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 電子物理 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTROPHYSICS | en_US |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | TEGa, TBAs氣相成長GaAs薄膜反應機制之研究 | zh_TW |
dc.title | Kinetic study of epitaxial growth of GaAs using TEGa and TBAs | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子物理系所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |