極大型積體電路矽化淺接面之研究

Abstract

金屬矽化物的形成，離子佈植後的處理，以及製造矽化淺接面等諸課題對於設計高 性能淺接面是極重要的。在本論文中，依據不同的製程，鈦與鈷矽化淺接面已被形 成，並加以分析。 首先，二矽化鈷的磊晶在矽基座上的成長被用來討論矽化物的形成，可用作一些新 奇高速元件的製造。快速熱退火與傳統熱退火對金屬矽化的影響將被討論。另外， 金屬鍍層的厚度也對磊晶成長有深刻的效應。 其次，不同的佈植條件與退火方式被用來檢視硼離子佈植的矽基座之雜質活化與再 結晶。升溫速率對於離子佈植後活化與再結晶之退火效應已被討論並提出一離子活 化機構。因而提出一最佳的退火方式來提高活化效率並減小硼在矽晶中的不正常擴 散，雷射退火証明是一種很好的方式。 最後，對於設計矽化或非矽化淺接面時所需之各方面考慮，作一闡述。經由矽化物 形成與離子佈植問題等方面之考量，提供了製造矽化淺接面的預估。於是藉佈植雜 質進入金屬或其矽化物薄膜中，進而由後續的退火將雜質推入矽晶中以形成淺接面 。用不用的佈植雜質與條件以使淺接面的特性達於最佳。基於諸多物性上的考慮， 不同的退火情況將造成接面特性之可觀影響。