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dc.contributor.author鄭俊一en_US
dc.contributor.authorZheng, Zun-Yien_US
dc.contributor.author葉清發en_US
dc.contributor.authorYe, Qing-Faen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:10:04Z-
dc.date.available2014-12-12T02:10:04Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804430024en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56476-
dc.description.abstract鋁是低電阻率的金屬,可用來當液晶顯示器上非晶矽薄膜電晶體的閘極電極,及閘 極訊號線金屬材料。但它在加熱製程容易產生突起和細鬚,而引起缺陷。在鋁層上 面長一層氧化鋁,可當鋁的保護層,抑制鋁表面產生突起。在本研究中,用極陽氧 化法成長氧化鋁的最佳成長條件,是在弱酸溶液中以120 伏特的直流電壓,電解氧 化成長氧化鋁,然後在通氮氣的爐管中,以 400℃的溫度熱處理20分鐘。以此條件 所成長的氧化鋁,具有很低的漏電流密度和很高的崩潰電場等良好的電學特性。此 外,以氧化鋁加上氮化矽雙層絕緣層能有效的抑制鋁表面產生突起,降低缺陷數目 。 我們可利用兩種不同的電解液,和四次不同電解氧化電壓的電解氧化,來完成氧化 鋁的選擇性成長。選擇性成長氧化鋁後,在兩相鄰鋁配導線間的氧化鋁,具有良好 的絕緣特性。因此,在積體電路中金屬配導線和平坦化問題,都能以氧化鋁選擇性 成長法來解決。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject陽極氧化法zh_TW
dc.subject成長氧化鋁zh_TW
dc.subject電學特性zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.titleThe characterization of Al□O□prepared by anodic oxidationen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文