完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 徐振修 | en_US |
dc.contributor.author | Jen-Shiou Hsu | en_US |
dc.contributor.author | 裘性天 | en_US |
dc.contributor.author | Hsin-Tein Chiu | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:10:52Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:10:52Z | - |
dc.date.issued | 1992 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT810500010 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/57062 | - |
dc.description.abstract | 本實驗以六甲基二矽烷為前驅物,以低壓化學氣相沉積法及電漿加強化學 氣相沉積法進行反應,沉積溫度在800-1050.degree.C間,所得薄膜經分析 結果為多晶型的.beta.-SiC,表面型態會隨著沉積溫度及成長時間的不同 而改變,而使用電漿輔助沉積,可改善薄膜的結晶性。薄膜主要為碳、矽鍵 結的結構,且碳、矽的分布均勻,沈積溫度愈低,含碳量愈高,矽、碳比 例(Si/C)分布在0.43-1.26之間,晶格常數也會隨著沈積溫度降低而增大 。在950.degree.C以下,為表面控制的反應,所得的活化能顯示為進行表 面反應的結果。此外,以殘餘氣體分析儀作反應副產物的偵測,並以偵測 結果推測出反應可能途徑。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 碳化矽;化學氣相沉積法;多晶型薄膜 | zh_TW |
dc.subject | Silicon Carbide;CVD Polycrystalline Thin Film;Hexamethyldisilane | en_US |
dc.title | 以六甲基二矽烷成長碳化矽薄膜 | zh_TW |
dc.title | Growth of Silicon Carbide Thin Films from Hexamethyldisilane | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 應用化學系碩博士班 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |