以六甲基二矽烷成長碳化矽薄膜

Abstract

本實驗以六甲基二矽烷為前驅物,以低壓化學氣相沉積法及電漿加強化學 氣相沉積法進行反應,沉積溫度在800-1050.degree.C間,所得薄膜經分析 結果為多晶型的.beta.-SiC,表面型態會隨著沉積溫度及成長時間的不同 而改變,而使用電漿輔助沉積,可改善薄膜的結晶性。薄膜主要為碳、矽鍵 結的結構，且碳、矽的分布均勻，沈積溫度愈低，含碳量愈高，矽、碳比 例(Si/C)分布在0.43-1.26之間，晶格常數也會隨著沈積溫度降低而增大 。在950.degree.C以下，為表面控制的反應，所得的活化能顯示為進行表 面反應的結果。此外，以殘餘氣體分析儀作反應副產物的偵測，並以偵測 結果推測出反應可能途徑。