以電漿化學氣相沉積法成長β-碳化矽薄膜

標題:	以電漿化學氣相沉積法成長β-碳化矽薄膜 Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition of β-SiC Thin Films
作者:	陳志敏 Jyh-Min Chen 裘性天 Hsin-Tien Chiu 應用化學系碩博士班
關鍵字:	電漿;化學氣相沉積;碳化矽;薄膜;plasma; chemical vapor deposition(CVD); silicon carbide(SiC);
公開日期:	1992
摘要:	本研究以十二甲基環己矽烷作為前驅物，利用熱壁式反應器，以氫氣為載流氣體，矽晶片為基材，在壓力(20-50mtorr)，溫度(900-1200 .degree. C), 13.56MHz 高週波功率(0-50W)下生成.beta.-SiC薄膜，探討氫氣電漿對薄膜成長的影響，另外嘗試以PMePh2為磷的來源摻雜磷原子於薄膜內並比較有無摻雜雜質之差異性。
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT810500018 http://hdl.handle.net/11536/57071
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