完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 黃坤祥 | en_US |
dc.contributor.author | Huang Kun-Shang | en_US |
dc.contributor.author | 余艇;曾俊元 | en_US |
dc.contributor.author | Yu Tiing;Tseng Tseung-Yuen | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:10:56Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:10:56Z | - |
dc.date.issued | 1992 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT810500033 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/57087 | - |
dc.description.abstract | 本篇論文是研究如何以較經濟、簡單、易於控制成份的溶膠凝膠法,來製 備鐵電性PLZT 9/65/35薄膜。溶質起始物為醋酸鉛、硝酸鑭、正 -四丙氧 基鋯及正-四丁氧基鈦,以2-甲基氧乙醇為溶劑,配製成澄清的前驅物溶 液。將前驅物溶液以旋轉塗佈法鍍膜在基板上。利用紅外線光譜和熱差 -質差分析儀,對前驅物溶液相互配合分析,而求得在攝氏400度下、持 溫200分鐘作為去除有機物的預熱條件。由於乾燥控制化學添加劑-甲醯胺 的添加,使得薄膜能在較低的退火溫度(攝氏600度),燒結出無裂縫且完 整的鈣鈦礦結構;且前驅物溶液保存期限亦較長。在表面鍍白金電極的矽 晶片基板上鍍膜,使用快速退火爐燒結一分鐘後,當膜厚為3000埃時,在 頻率為1000赫茲下,可測得相對介電常數為601.3,且得薄膜的崩潰電壓 值在80伏特附近。實驗中並以其它不同的基板來製作薄膜,其中以氧化鋁 、氧化鎂及玻璃為基板時,因為燒結時間的需求較長,所以必須配合氧化 鉛氣氛的添加,以避免鉛元素的揮發流失。其詳細作法,在論文中將有所 描述。以氧化鋁及氧化鎂為基板時,可在攝氏550度下,燒結出單一的鈣鈦 礦。在氧化鋁及氧化鈰為基板的薄膜表面,則發現有晶粒的出現。在光學 性質的量測方面:在玻璃基板上鍍膜,當波長在400nm以上時,有很好的 透光性質。在矽晶片上鍍膜時,當燒結溫度在攝氏600度以上時,薄膜折 射率值可達2.4-2.5之間。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 溶膠凝膠法;鐵電性;乾燥控制化學添加劑;鈣鈦礦結構 | zh_TW |
dc.subject | Sol-Gel;Ferroelectric;DCCA;Perovskite Structure | en_US |
dc.title | PLZT鐵電薄膜之溶膠凝膠法製備及其特性研究 | zh_TW |
dc.title | Characterizations of PLZT Ferroelectric Thin Films of Fabricated l Method | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 應用化學系碩博士班 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |