標題: P□型多晶矽閘在P型金氧半場效電晶體上的研究
Study of P□Polysilicon gate on PMOSFET
作者: 鄭治平
ZHENG, ZHI-PING
張俊彥
電子研究所
關鍵字: P 型多晶矽閘;P 型金氧;電晶體
公開日期: 1992
摘要: 在本論文中,主要針對P□型多晶矽閘在P型金氧半場效電晶體上的特性進行研究 。我們利用厚氧化層的元件來研究硼和氟元素在閘極絕緣層內的表現。不同的回火 溫度及時間都加以研討。由二次離子質譜儀,我們得到在二氧化矽中氟會增進硼元 素擴散的直接証據,並且有硼及氟元素在二氧化矽中的描述。 針對P型金氧半場效電晶體,不同的閘極絕緣層(二氧化矽或ONO ),植入的雜質 (B11或BF□),及回火溫度(800℃,900℃,1000℃,或快速回火1100℃)都 加以研究,並比較已發表的論文和本論文的差異。最後証實對短通道P□閘極元件 而言,回火溫度不能超過 900℃。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812245098
http://hdl.handle.net/11536/57183
顯示於類別:畢業論文