P□型多晶矽閘在P型金氧半場效電晶體上的研究

Abstract

在本論文中，主要針對Ｐ□型多晶矽閘在Ｐ型金氧半場效電晶體上的特性進行研究 。我們利用厚氧化層的元件來研究硼和氟元素在閘極絕緣層內的表現。不同的回火 溫度及時間都加以研討。由二次離子質譜儀，我們得到在二氧化矽中氟會增進硼元 素擴散的直接証據，並且有硼及氟元素在二氧化矽中的描述。 針對Ｐ型金氧半場效電晶體，不同的閘極絕緣層（二氧化矽或ONO ），植入的雜質 （Ｂ11或ＢＦ□），及回火溫度（800℃，900℃，1000℃，或快速回火1100℃）都 加以研究，並比較已發表的論文和本論文的差異。最後証實對短通道Ｐ□閘極元件 而言，回火溫度不能超過 900℃。