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dc.contributor.author陳文濤en_US
dc.contributor.authorCHEN, WEN-TAOen_US
dc.contributor.author趙書琦en_US
dc.contributor.authorZHAO, SHU-QIen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:11:09Z-
dc.date.available2014-12-12T02:11:09Z-
dc.date.issued1992en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429003en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/57262-
dc.description.abstract我們利用電解液為HF加ethanol 的定電流源陽極忠電解系統,將〔100 〕的矽晶片 製成多孔質矽。然後藉著電流密度、溶液成份、電解時間,以及使用旋轉電極的控 制,使得樣品得以有相當強度的光致發光(Photoluminescence ),並且能均勻化 和大致控制發光頻率。接著針對發光多孔質矽,我們做拉曼光譜之光性量測,發現 多孔質矽層與μc-si之光譜相當符合。而在電性量測方面,水銀╱發光多孔質矽之 電流--電壓特性告訢我們,多孔質矽表面存在許多的表面狀態。而鋁╱p 型矽是 歐接觸,但是鋁╱發光多孔質矽則變成了Schottky,且其電容--電壓特性顯示, p 型發光多孔質矽層的載子已被deplete 掉了。 #9303218zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject發光多孔質矽zh_TW
dc.subject特性量測zh_TW
dc.title發光多孔質矽的製作與特性量測zh_TW
dc.titleFabrication and characterization of visible light emission porous siliconen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
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