發光多孔質矽的製作與特性量測

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳文濤	en_US
dc.contributor.author	CHEN, WEN-TAO	en_US
dc.contributor.author	趙書琦	en_US
dc.contributor.author	ZHAO, SHU-QI	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:11:09Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:11:09Z	-
dc.date.issued	1992	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429003	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/57262	-
dc.description.abstract	我們利用電解液為HF加ethanol 的定電流源陽極忠電解系統，將〔100 〕的矽晶片製成多孔質矽。然後藉著電流密度、溶液成份、電解時間，以及使用旋轉電極的控制，使得樣品得以有相當強度的光致發光（Photoluminescence ），並且能均勻化和大致控制發光頻率。接著針對發光多孔質矽，我們做拉曼光譜之光性量測，發現多孔質矽層與μc-si之光譜相當符合。而在電性量測方面，水銀╱發光多孔質矽之電流－－電壓特性告訢我們，多孔質矽表面存在許多的表面狀態。而鋁╱p 型矽是歐接觸，但是鋁╱發光多孔質矽則變成了Schottky，且其電容－－電壓特性顯示， p 型發光多孔質矽層的載子已被deplete 掉了。 #9303218	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	發光多孔質矽	zh_TW
dc.subject	特性量測	zh_TW
dc.title	發光多孔質矽的製作與特性量測	zh_TW
dc.title	Fabrication and characterization of visible light emission porous silicon	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子物理系所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文