OMVPE成長GaAsSb薄膜及GaAsSb/AlAsSb布拉格反射鏡之製作

Abstract

本文主要描述以常壓有機金屬氣相磊晶砷銻化鎵薄膜及砷銻化鎵╱砷銻化鋁長波長布 拉格反射鏡的製作。在磊晶砷銻化鎵薄膜的過程中，我們以tega,TBAS,TMSB作為磊晶 薄膜的分子源。在五三比為0.95，磊晶溫度為550 ℃時，我們可以磊晶出所有固相組 成的GAAS(1-x)sbx(0<x<1) 。與磷化銦晶格相匹配之GAAS0.5SB0.5磊晶薄膜X 光繞射 圖半高寬為2000arc sec ，20K 冷激光譜量得能隙為1.6UM ，HALL量測顯示為P 型半 導體，遷移率小於100CM2/VS 。以干涉的方法求得薄膜之折射率為3.4 ，來作為布拉 格反射鏡電腦模擬的依據。 在製作中心波長為1.3UM 之布拉格反射鏡的過程中，我們以砷銻化鎵╱砷銻化鋁及砷 化鎵╱砷化鋁兩種布拉格反射鏡來相互對。照在砷銻化鎵╱砷銻化鋁布拉格反射鏡的 各層厚度皆為0.2UM 時界面尚稱平整。隨著各層厚度的減少，砷銻化鎵╱砷銻化鋁布 拉格反射鏡的反射率因界面的不平整而嚴重降低，而砷化鎵╱砷化鋁布拉格反射鏡則 無此問題。在成長5 對層數、中心波長為1.3UM 時，反射率達81％。