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dc.contributor.author郭永杰en_US
dc.contributor.authorGUO, YONG-JIEen_US
dc.contributor.author李威儀en_US
dc.contributor.authorLI, WEI-YIen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:11:09Z-
dc.date.available2014-12-12T02:11:09Z-
dc.date.issued1992en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429013en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/57273-
dc.description.abstractGa□In□P化合物半導體材料,當x=0.5時,Ga0.5In0.5P晶格常數正好與GaAs 晶片相匹配,此時對應的直接能隙約有1.9 eV。具有這樣的優點,使得 Ga0.5 In0.5P 在光電元件上有相當廣泛的應用:發光二極體、可見光雷射二極體等, 皆屬於其應用的範疇。 目前,在準備化合物半導體材料的方法上,原子束磊晶法(MBE) 與有機金屬氣相磊 晶法(OMVPE) 是最被廣泛應用的磊晶技術。而較之於原子束磊晶法,有機金屬氣相 磊晶法對磊晶厚度的控制仍稍嫌不足。事實上已有許多人在OMVPE 系統中嘗試新的 磊晶技巧,以期能夠強化OMVPE 對磊晶厚度的控制能力。其中,流量調制法(包括 原子層磊晶法)是相當符合需求的磊晶技術。由於原子層磊晶法的磊晶機制特殊, 將成為本論文探討的重點。實驗結果顯示,在OMVPE 系統中以原子層磊晶法成長 Ga0.5In0.5P材料,需要較短傾流時間以及較長的氫氣吹沖時間;而最佳的磊 晶溫度範圍是從500℃到650℃。 實驗過程中,將採用掃瞄電子顯微鏡、Normarski 顯微鏡及x-ray 來觀看磊晶層表 面型態並鑑定其品質;而確切的薄膜厚度可以經由surface-profiler量測獲得。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subjectOMVPE系統zh_TW
dc.subject流量調制法zh_TW
dc.subject異質薄膜zh_TW
dc.title在OMVPE系統中以流量調制法成長GaIn1-xP/GaAs異質薄膜zh_TW
dc.titleOrganometallic vapor phase epitaxy of Ga□In□ P/GaAs by flow rat modulationen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別:畢業論文