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dc.contributor.author林廉凱en_US
dc.contributor.authorLIN, LIAN-KAIen_US
dc.contributor.author趙書琦en_US
dc.contributor.authorZHAO, SHU-QIen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:11:10Z-
dc.date.available2014-12-12T02:11:10Z-
dc.date.issued1992en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429024en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/57285-
dc.description.abstract多孔質矽成為目前幾年來的研究對象,主要是由於其光玫發光頻率由原來的紅外線範 圍變為可見光範圍。其可能的原因有三種:量子局限效應、Siloexene 的產生及表面 氫鍵的影響。庄於何者為主要原因,截至目前為止仍無定論,主要是由於其表面的結 構太過於微小的原因,無法判斷其分子結構組成的。 本論文的研究目即秉用旋轉電極的方式,用不同的電解液濃度、不同的電流密度與電 流時間來控制多孔質矽的光致發光顏迕。目前已經能控制多孔質矽光致發光頻率為紅 、橙、黃、綠等顏色。電解時會在表面產生矽酸鹽,該化學產物的出現使多孔質矽表 面呈現厭水性。電解時所產生的氫氣須迅速甩離晶片表面,否則會影響電解反應的進 行,產生不均勻的蝕刻表面。因為轉速的改變並不引響電流值,因此可推測電解反應 只發生在孔徑尖端。但多孔質矽仍會被HF溶液侵蝕,因此電解的時間愈長,光致發光 頻率也愈高。此現象可用量子局限效應解釋,當電解時間愈長,所得到的量子線愈細 。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject多孔質矽zh_TW
dc.title多孔質矽的製作與研究zh_TW
dc.titleFabrication and S of visible light emission porous siliconen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
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