有機金屬氣相磊晶法成長磷化銦鎵/砷化鎵異質薄膜

Abstract

近幾年來，由於光電工程的快速發展，使得短波長發光半導體元件的需求日益迫切 。本實驗中成長的磷化銦鎵(GaInP)即是一種發光性半導體材料，能隙大小約在1.9 ev的紅光區，但是在某些長晶條件下會發生能隙降低現象，幾年前即有學者開始進 行研究能隙偏低的原因，結果是在晶格中的鎵及銦發生順序排列所造成。 本實驗所採用的長晶儀器乃是一部有機金屬氣象磊晶(MOCVD) 系統並利用各種量測 儀器鑑定磊晶層品質及改變磊晶條件的影響。在〔TMIn〕╱〔TMGa〕＝1.075 時是 晶格匹配最佳的條件，而常溫下的P.L.光譜所獲得的半高寬(FWHM)達到35mev ，以 及X-Ray繞射圖鍵定出的半高寬則小到120arcsec。顯示出薄膜品質已相當不錯，將 可更進一步研究發展四元的AlGaInP材料，和應用於光電元件。