有機金屬氣相磊晶法成長砷銻化鋁/磷化銦薄膜

Abstract

本文主要探討以有機金屬氣相磊晶法成長砷銻化鋁薄膜材料。實驗結果顯示，低於 625℃ 的溫度下，磊晶受控於表面的動力反應,其活化能為28.3 kcal/mol。而大於 625℃ 的成長溫度，整個反應則由質傳擴散來主導，成長效率變為7988 um/mol 。 銻之固相比例主要受五二比值及溫度兩項磊晶變數所影響；在550 ℃、五五比例固 定的條件下，較低的五三比將可使磊晶層獲得較高的銻含量。而在五三比、五五比 固定的成長條件下提升溫度亦可提升銻的含量。尤其是當溫度達600 ℃時，銻的分 佈係數可達1 ，顯見薄膜中銻的含量和TMSb的劫分解過程相關。光學的測量結果顯 示，砷銻化鋁薄膜有一間接能隙，室溫下大小為1.90eV。預計這個材料與砷化銦鎵 配對，會有高達1.25eV的傳導帶能障，適合用於高速場效電晶體及微波元件的製作 。另外，由薄膜干涉的結果，可得此一磊晶薄膜在波長1.55um的折射率大約為3.0 ，其值與砷化銦鎵的折射率（約為3.5 ）差距頗大。若以這兩種材料來研製布拉格 反射層，預料將以較少的層數便可獲得極高的反射率。 #9303210