標題: 有機金屬氣相磊晶法成長砷銻化鋁/磷化銦薄膜
Metalorganic chemical vapor deposition of AlAsSb lattice matched to InP
作者: 葉清本
YE, QING-BEN
陳衛國
CHEN, WEI-GUO
電子物理系所
關鍵字: 有機金屬;氣相磊法;砷銻化鋁;磷化銦
公開日期: 1992
摘要: 本文主要探討以有機金屬氣相磊晶法成長砷銻化鋁薄膜材料。實驗結果顯示,低於 625℃ 的溫度下,磊晶受控於表面的動力反應,其活化能為28.3 kcal/mol。而大於 625℃ 的成長溫度,整個反應則由質傳擴散來主導,成長效率變為7988 um/mol 。 銻之固相比例主要受五二比值及溫度兩項磊晶變數所影響;在550 ℃、五五比例固 定的條件下,較低的五三比將可使磊晶層獲得較高的銻含量。而在五三比、五五比 固定的成長條件下提升溫度亦可提升銻的含量。尤其是當溫度達600 ℃時,銻的分 佈係數可達1 ,顯見薄膜中銻的含量和TMSb的劫分解過程相關。光學的測量結果顯 示,砷銻化鋁薄膜有一間接能隙,室溫下大小為1.90eV。預計這個材料與砷化銦鎵 配對,會有高達1.25eV的傳導帶能障,適合用於高速場效電晶體及微波元件的製作 。另外,由薄膜干涉的結果,可得此一磊晶薄膜在波長1.55um的折射率大約為3.0 ,其值與砷化銦鎵的折射率(約為3.5 )差距頗大。若以這兩種材料來研製布拉格 反射層,預料將以較少的層數便可獲得極高的反射率。 #9303210
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429001
http://hdl.handle.net/11536/57260
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