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dc.contributor.author陳銘逸en_US
dc.contributor.authorCHEN, MIN-YIen_US
dc.contributor.author李威儀en_US
dc.contributor.authorLI, WEI-YIen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:11:10Z-
dc.date.available2014-12-12T02:11:10Z-
dc.date.issued1992en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429031en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/57293-
dc.description.abstract近幾年來,由於光電工程的快速發展,使得短波長發光半導體元件的需求日益迫切 。本實驗中成長的磷化銦鎵(GaInP)即是一種發光性半導體材料,能隙大小約在1.9 ev的紅光區,但是在某些長晶條件下會發生能隙降低現象,幾年前即有學者開始進 行研究能隙偏低的原因,結果是在晶格中的鎵及銦發生順序排列所造成。 本實驗所採用的長晶儀器乃是一部有機金屬氣象磊晶(MOCVD) 系統並利用各種量測 儀器鑑定磊晶層品質及改變磊晶條件的影響。在〔TMIn〕╱〔TMGa〕=1.075 時是 晶格匹配最佳的條件,而常溫下的P.L.光譜所獲得的半高寬(FWHM)達到35mev ,以 及X-Ray繞射圖鍵定出的半高寬則小到120arcsec。顯示出薄膜品質已相當不錯,將 可更進一步研究發展四元的AlGaInP材料,和應用於光電元件。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject有機金屬zh_TW
dc.subject相磊晶法zh_TW
dc.subject異質簿膜zh_TW
dc.title有機金屬氣相磊晶法成長磷化銦鎵/砷化鎵異質薄膜zh_TW
dc.titleHeteroepitaxial growth of GaInP lattice matched to GaAs by MOCVDen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別:畢業論文