完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 涂瑞清 | en_US |
dc.contributor.author | Tu, Rui-Qing | en_US |
dc.contributor.author | 李威儀 | en_US |
dc.contributor.author | Li, Wei-Yi | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:11:28Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:11:28Z | - |
dc.date.issued | 1992 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT814429004 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/57481 | - |
dc.description.abstract | 以OMVPE 的磊晶技術,應用在光電材料的基礎研究,或是光電元件的製作上,無疑 的已經成為未來的主流之一。隨著OMVPE 系統在硬體設備及軟體發展上的提升,使 得研究者更能掌握磊晶的過程及結果,因此在商用上量產的能力也大為提昇。 我們以自組的常壓OMVPE 磊晶系統,從事GaP 材料磊晶之研究。在GaP/Si的異質磊 晶中,主要是探討以流量調制磊晶法成長緩衝層的時候,長晶條件(如V/III 比、 TMGa莫耳流率、PH□莫耳流率、成長溫度)和島嶼成長形成的關係,我們發現在長 晶溫度為550℃、TMGa 莫耳流率為25μmole/min、V/III 比為200 時,會由三維成 長變成二維成長,依據此緩衝層的最佳條件,繼續尋找後續磊晶層的最佳條件。而 在GaP/GaP的磊晶研究上,主要是探討長晶條件(如V/III比、TMGa莫耳流率、PH□ 莫耳流率、成長溫度),對磊晶層表面平整度的影響,經由實驗的結果發現,在長 晶溫度為750℃、TMGa 莫耳流率為13μmole/min、V/III 比為25時,其表面的hil- lock數目最小,而且沒有hatch 產生,因此就可利用這組長晶條件,作為日後成長 其它含鏻材料如,GaAsP、AlPn/GaPm緩衝層的條件。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 有機金屬 | zh_TW |
dc.subject | 氣相磊晶法 | zh_TW |
dc.subject | GaP材料 | zh_TW |
dc.subject | 電子物理 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTROPHYSICS | en_US |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 有機金屬氣相磊晶法成長GaP材料之研究 | zh_TW |
dc.title | Growth of GaP by OMVPE | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子物理系所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |