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dc.contributor.author涂瑞清en_US
dc.contributor.authorTu, Rui-Qingen_US
dc.contributor.author李威儀en_US
dc.contributor.authorLi, Wei-Yien_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:11:28Z-
dc.date.available2014-12-12T02:11:28Z-
dc.date.issued1992en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT814429004en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/57481-
dc.description.abstract以OMVPE 的磊晶技術,應用在光電材料的基礎研究,或是光電元件的製作上,無疑 的已經成為未來的主流之一。隨著OMVPE 系統在硬體設備及軟體發展上的提升,使 得研究者更能掌握磊晶的過程及結果,因此在商用上量產的能力也大為提昇。 我們以自組的常壓OMVPE 磊晶系統,從事GaP 材料磊晶之研究。在GaP/Si的異質磊 晶中,主要是探討以流量調制磊晶法成長緩衝層的時候,長晶條件(如V/III 比、 TMGa莫耳流率、PH□莫耳流率、成長溫度)和島嶼成長形成的關係,我們發現在長 晶溫度為550℃、TMGa 莫耳流率為25μmole/min、V/III 比為200 時,會由三維成 長變成二維成長,依據此緩衝層的最佳條件,繼續尋找後續磊晶層的最佳條件。而 在GaP/GaP的磊晶研究上,主要是探討長晶條件(如V/III比、TMGa莫耳流率、PH□ 莫耳流率、成長溫度),對磊晶層表面平整度的影響,經由實驗的結果發現,在長 晶溫度為750℃、TMGa 莫耳流率為13μmole/min、V/III 比為25時,其表面的hil- lock數目最小,而且沒有hatch 產生,因此就可利用這組長晶條件,作為日後成長 其它含鏻材料如,GaAsP、AlPn/GaPm緩衝層的條件。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject有機金屬zh_TW
dc.subject氣相磊晶法zh_TW
dc.subjectGaP材料zh_TW
dc.subject電子物理zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTROPHYSICSen_US
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title有機金屬氣相磊晶法成長GaP材料之研究zh_TW
dc.titleGrowth of GaP by OMVPEen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子物理系所zh_TW
顯示於類別:畢業論文