Study on anew type phase shifting mask for 0.35μm pattern transfer

Abstract

相轉移光罩(phase shifting mask) 可在不改變曝光系統的條件下，同時改進解析 度(resolution)和聚焦深度(depth of focus)。若配合傳統的ｉ線(i-line, 365nm ) 製程，解析度可達到0.35微米。不同的電路設計圖形，必須配合不同類型之相轉 移光罩，各有其優缺點。 本篇論文提出一種尚未見文獻報導之新型相轉移光罩，稱為半透緣邊式(halftone- rim)。以DEPICT II 軟體模擬結果顯示，半透緣邊式相轉移光罩適合於接觸窗(co- ntact hole) 之製作，且具有自我對準(self-aligned)的效果，因此光罩製作較為 簡便。與緣邊式(rim) 相轉移光罩比較，可節省30﹪的曝光劑量，同時具有較小的 正向光罩偏差(positive mask bias)及較大的製程寬容度(process latitude)等優 點。與可調式(attenuated)相轉移光罩比較，可擁有較大的有效聚焦寬容度(effe- ctive focus latitude) 。另外，使用半透緣邊式相轉移光罩時，為避免暗區阻劑 產生溶解現象，半透光區(halftone region) 的光強度透光率(intensity transm- ittance)宜控制在 9﹪之內。