多孔矽與多孔矽/鍺合金的發光研究

Abstract

第一章 導論 第二章 發光多孔矽的形成機制與理論 2.1 矽晶片表面的電化學反應 2.2 多孔矽形成的物理機制 2.3 影響多孔矽發光的原因 2.3.1 量子效應 2.3.2 矽化物siloxene 第三章 發光多孔矽之研究 3.1 電化學陽極反應系統 3.2 實驗步驟 3.3 結果與討論 第四章 多孔矽╱鍺合金之發光研究 4.1 發光來自於表面的多孔Ｓｉ□Ｇｅ□薄膜 4.1.1 實驗步驟 4.1.2 結果與討論 4.2 多孔矽、多孔Ｓｉ□Ｇｅ□發光與表面Ｓｉ－Ｈn 鍵的關係 4.2.1 實驗步驟 4.2.2 結果與討論 4.3 反應時間對多孔Ｓｉ□Ｇｅ□發光的影響 4.3.1 實驗步驟 4.3.2 結果與討論 4.4 Ｇｅ含量變化對多孔Ｓｉ□Ｇｅ□發光的影響 4.4.1 實驗步驟 4.4.2 結果與討論 4.5 反應時間對較薄的Ｓｉ□Ｇｅ□薄膜發光的影響 4.5.1 實驗步驟 4.5.2 結果與討論 4.6 由Ｓｉ╱Ｓｉ□Ｇｅ□的異質結構來研究其發光情形 4.6.1 實驗步驟 4.6.2 結果與討論 4.7 不同Ｓｉ□Ｇｅ□薄膜的發光研究 4.7.1 實驗步驟 4.7.2 結果與討論 第五章 多孔Ｓｉ╱Ｓｉ－Ｂ﹢超晶格的發光研究 5.1 實驗步驟 5.2 結果與討論 第六章 多孔結構的電性研究 6.1 實驗步驟 6.2 結果與討論 第七章 結論