標題: 多孔矽與多孔矽/鍺合金的發光研究
Luminescence properties of porous Si and porous SiGe
作者: 許明裕
Xu, Ming-Yu
李建平
Li, Jian-Ping
電子研究所
關鍵字: 多孔矽;鍺合金;發光研究;電子工程;電化學陽極反應;ELECTRONIC-ENGINEERING;Electrochemical Anodization
公開日期: 1993
摘要: 第一章 導論 第二章 發光多孔矽的形成機制與理論 2.1 矽晶片表面的電化學反應 2.2 多孔矽形成的物理機制 2.3 影響多孔矽發光的原因 2.3.1 量子效應 2.3.2 矽化物siloxene 第三章 發光多孔矽之研究 3.1 電化學陽極反應系統 3.2 實驗步驟 3.3 結果與討論 第四章 多孔矽╱鍺合金之發光研究 4.1 發光來自於表面的多孔Si□Ge□薄膜 4.1.1 實驗步驟 4.1.2 結果與討論 4.2 多孔矽、多孔Si□Ge□發光與表面Si-Hn 鍵的關係 4.2.1 實驗步驟 4.2.2 結果與討論 4.3 反應時間對多孔Si□Ge□發光的影響 4.3.1 實驗步驟 4.3.2 結果與討論 4.4 Ge含量變化對多孔Si□Ge□發光的影響 4.4.1 實驗步驟 4.4.2 結果與討論 4.5 反應時間對較薄的Si□Ge□薄膜發光的影響 4.5.1 實驗步驟 4.5.2 結果與討論 4.6 由Si╱Si□Ge□的異質結構來研究其發光情形 4.6.1 實驗步驟 4.6.2 結果與討論 4.7 不同Si□Ge□薄膜的發光研究 4.7.1 實驗步驟 4.7.2 結果與討論 第五章 多孔Si╱Si-B﹢超晶格的發光研究 5.1 實驗步驟 5.2 結果與討論 第六章 多孔結構的電性研究 6.1 實驗步驟 6.2 結果與討論 第七章 結論
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT824430002
http://hdl.handle.net/11536/58654
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