以積體電路製程研製之複晶矽薄膜電晶體之特性分析

Abstract

複晶矽薄膜電晶體 (poly-Si TFTs) 已經被廣泛應用許 多 方 面。 在 本 論 文 □ ,我 們 提 出 參 個 以 傳 統 互 補式 金 氧 半 (CMOS) 以 及 靜 態 隨 機 讀 存 記 憶 體 (SRAM) 積體 電 路 製 程 製 造 包 括 兩 種 結 構 的 複 晶 矽 薄 膜 電 晶體 樣 本。 由 於 與 傳 統 積 體 電 路 製 程 相 容 , 我 們 的元 件 可 以 被 廣 泛 應 用 在 更 多 的 領 域 □。在 本 論 文□ , 我 們 觀 察 及 分 析 這 些 元 件 的 特 性 , 包 括 開/閉電 流 比 (on/off current ratio) , 臨 限 電 壓 (VT)。 此 外 , 為了 發 展 複 晶 矽 薄 膜 電 晶 體 應 用 在 更 多 的 領 域 □ ,諸 如 高 溫 操 作 以 及 光 驅 動 元 件 , 本 論 文 亦 研 究 討論 溫 度 的 影 響 及 對 光 的 反 應。 Polysilicon thin film transistors (poly-Si TFTs) have been widely used in many fields. In this thesis, poly-Si TFTs with two different structures have been designed and fabricated by modified 0.8(m double-poly double-metal CMOS and CMOS SRAM process technologies. The characteristics of these fabricated samples, including on/off current ratio, subthresold swing, and thresold voltage have been measured and analyzed.. Moreover, in order to develop new applications of poly-Si TFTs, such as high- temperature operation or light trigger elements, the temperature dependence and optical response are also investigated in this thesis.