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dc.contributor.author劉志豪en_US
dc.contributor.authorChih-Hao Liuen_US
dc.contributor.author高曜煌en_US
dc.contributor.authorYao-Huang Kaoen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:13:57Z-
dc.date.available2014-12-12T02:13:57Z-
dc.date.issued1994en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT830436052en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/59409-
dc.description.abstract本論文研究半導體雷射主動鎖模的方法來產生超短光脈沖的基本機制 ,在 共振腔長度33.2cm其對應的頻率452MHz,偏壓在30mA(1.3Ith),調變訊號14 dBm時得到寬度45ps的光脈沖,在此結果媲美其他研究結果,得到和其他參 考文獻同一級數的脈沖寬度值,藉著對調變訊號,直流偏壓和共振腔長度對 光脈沖的影響的研究找出產生超短光脈沖最佳的操作條件,由於動態調移 機制,產生最短光脈沖必須調整輸入雷射的調變訊號頻率略為小於共振腔 對應頻率,並且因此機制偏壓電流存在一最佳值,使用梳形產生器 (Comb Generator),來將輸入雷射的正弦波訊號整形成電脈沖,輸入波形對光脈沖 的影響比較訊號整形前後的差距,發現使用梳形產生器可以得到更為純淨 的光脈沖其脈沖寬度至少減少5ps以上。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject半導體雷射, 鎖模 , 調移,外加共振腔zh_TW
dc.subjectSemiconductor Laser , Mode-Locked , Detuning , External Cavityen_US
dc.title半導體雷射鎖模行為之研究zh_TW
dc.titleStudy of Behaviors in Active Mode-Locked Semiconductor Laseren_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電信工程研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文